NTTFS4800N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
Duty Cycle = 50%
20%
10%
5%
2%
1%
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
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0.1
1
10
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1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
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相关代理商/技术参数
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NTTFS4821N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N−Channel, u8FL
NTTFS4821NTAG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4821NTWG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4823N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N−Channel, 8FL
NTTFS4823NTAG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 50A 17.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4823NTWG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 50A 17.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4824N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N−Channel, u8FL